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【販売終了】SiC MOSFET[RoHS] /C2M0160120D

web販売価格 : ¥2,200(税込)   注文受付単位:1
在庫 : 販売終了
送料区分 : ネコポス(ヤマト運輸)可能
メーカー : CREE(クリー)
商品コード : E2H412
品名/型番 : 【販売終了】SiC MOSFET[RoHS] /C2M0160120D
登録日 : 2014.2.17
製品情報 : DATASHEET/PDF

概要

次世代半導体のSiC(シリコン カーバイド=炭化ケイ素)を使用したMOSFET。特徴は、高耐圧なのにオン抵抗が小さい、ゲート入力容量が小さく動作時の電力損失が少ない、動作温度範囲も広く、温度が上昇しても特性が変化しにくいなどがあります。

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https://eleshop.jp/shop/contact/contact.aspx?goods=E2H412

詳細

●ドレインソース間降伏電圧[VDSS]:1200V
●ドレイン電流/連続[IDS(DC)]:17.7A(max.)(Vgs20V、Tc=25℃)
●ドレイン電流/パルス[IDS(Pulse)]:45A(パルス幅=50μs、Tc=25℃)
●ドレイン−ソース間オン抵抗[Rds(Ω)]:160mΩ
●パッケージ:TO-247-3
●足配置:GDS

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スタッフコメント

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次世代半導体 SiC MOSFETが入荷しました。
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