高耐圧 Nch MOS-FET
FQPF2N60C
| web販売価格 : | ￥242(税込) 注文受付単位：1 |
|---|---|
| 在庫 : | 5 （現在庫数） |
| 送料区分 : | ネコポス（ヤマト運輸）可能 |
| メーカー : | ON Semiconductor(オンセミコンダクタ) |
| 商品コード : | KCI313 |
| 品名／型番 : | 高耐圧 Nch MOS-FET / FQPF2N60C |
| 登録日 : | 2020.12.18 |
| 製品情報 : | データーシート/PDF |
概要
高耐圧600VのNch MOSFETです。
★真空管アンプの「リップルフィルター」用途におすすめ
回路および製作事例は「電子工作マガジン」2020年「冬」号の記事
「KT88シングル 3極管接続 無帰還アンプをつくる」をご覧ください。
整流管+チョークコイル+ケミコンに替わる小型高性能電源基板を製作することができます。
★真空管アンプの「リップルフィルター」用途におすすめ
回路および製作事例は「電子工作マガジン」2020年「冬」号の記事
「KT88シングル 3極管接続 無帰還アンプをつくる」をご覧ください。
整流管+チョークコイル+ケミコンに替わる小型高性能電源基板を製作することができます。
詳細
●ドレイン−ソース電圧(VDSS)：600V
●ゲート−ソース電圧(VGSS)：±30V
●ドレイン電流/連続(ID)：2A (25℃)
●ドレイン電流/パルス(IDM)：8A
●ゲートしきい値電圧(VGS(th))：4.0V(max./ID＝250μA)
●許容損失(PD)：23W (25℃)
●オン抵抗(RDS(on))：4.7Ω(max.)(VGS＝10V, ID＝1A)
●足配置：GDS
●パッケージ：TO-220F(フルモールドタイプ)
●ゲート−ソース電圧(VGSS)：±30V
●ドレイン電流/連続(ID)：2A (25℃)
●ドレイン電流/パルス(IDM)：8A
●ゲートしきい値電圧(VGS(th))：4.0V(max./ID＝250μA)
●許容損失(PD)：23W (25℃)
●オン抵抗(RDS(on))：4.7Ω(max.)(VGS＝10V, ID＝1A)
●足配置：GDS
●パッケージ：TO-220F(フルモールドタイプ)
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