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ショットキーバリアダイオード
SiCショットキーダイオード 1200V 5.9A[RoHS]
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  • 商品コード: E2H411
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次世代半導体のSiC(シリコン カーバイド=炭化ケイ素)を使用したショットキーダイオードに高耐圧1200V仕様のものが登場。SiCは、高耐圧化、高効率、ゼロリカバリ、高速・低損失、低発熱で放熱器を削減可能といった、従来のシリコンショットキーダイオードより優れた特徴を持っています。VRRM=1200V IF=5.9A。

web販売価格  ¥682

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SiCショットキーダイオード 600V 3A
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  • 商品コード: D43411
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次世代半導体のSiC(シリコン カーバイド=炭化ケイ素)を使用したショットキーダイオード。高耐圧化、高効率、ゼロリカバリ、高速・低損失、低発熱で放熱器を削減可能といった、従来のシリコンショットキーダイオードより優れた特徴を持っています。逆方向電圧=600V 順方向電流=3V。

web販売価格  ¥419

数量  

SiCショットキーダイオード 600V 6A
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  • 商品コード: D43412
  • 在庫: 実店舗取扱商品 在庫数の確認は「問合せフォーム」からお願いします
TO-220-F2
次世代半導体のSiC(シリコン カーバイド=炭化ケイ素)を使用したショットキーダイオード。高耐圧化、高効率、ゼロリカバリ、高速・低損失、低発熱で放熱器を削減可能といった、従来のシリコンショットキーダイオードより優れた特徴を持っています。逆方向電圧=600V 順方向電流=6V。

web販売価格  ¥660

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