INFINEON SIC MOSFET, N-CH, 650V, 58A, TO-263 【Farnell 取寄品】
IMBG65R033M2HXTMA1
| web販売価格 : | ￥2,435(税込) 注文受付単位：1 |
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| 在庫 : | 819 （現在庫数） |
| 送料区分 : | 宅配便(ヤマト運輸) |
| メーカー : | その他メーカ/ブランド |
| 商品コード : | 4640388 |
| 品名／型番 : | INFINEON SIC MOSFET, N-CH, 650V, 58A, TO-263 【Farnell 取寄品】 / IMBG65R033M2HXTMA1 |
| 登録日 : | 2025.9.24 |
| 製品情報 : | 詳細資料/PDF |
| 納期目安 : |
概要
※画像は説明用のイメージです。
製品によってはコネクターのピン数・形状などが写真と実物で異なる場合があります。
詳しくは詳細資料をご覧ください。
※表示されている在庫数はFarnell社の「1〜2営業日前の在庫数」であり、弊社の実在庫数ではございません。
Farnell社の在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございます。あらかじめご了承ください。
(ご用意出来ない場合は別途ご連絡いたします)
製品によってはコネクターのピン数・形状などが写真と実物で異なる場合があります。
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詳細
●MOSFET モジュール 構成：シングル
●連続ドレイン電流 Id：58A
●ドレインソース オン状態 抵抗：0.03ohm
●ピン 数：7ピン
●ゲート ソース 閾値電圧 最大値：5.6V
●動作温度 最大値：175°C
●チャネル タイプ：N チャネル
●ドレインソース 電圧 Vds：650V
●トランジスタ ケース タイプ：TO-263 (D2PAK)
●Rds(on) テスト 電圧：20V
●電力損失：227W
●製品 範囲：CoolSiC Gen 2 Series
●連続ドレイン電流 Id：58A
●ドレインソース オン状態 抵抗：0.03ohm
●ピン 数：7ピン
●ゲート ソース 閾値電圧 最大値：5.6V
●動作温度 最大値：175°C
●チャネル タイプ：N チャネル
●ドレインソース 電圧 Vds：650V
●トランジスタ ケース タイプ：TO-263 (D2PAK)
●Rds(on) テスト 電圧：20V
●電力損失：227W
●製品 範囲：CoolSiC Gen 2 Series
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取寄せ品！通常納期：5〜8営業日 ※海外の複数倉庫より出荷のため、出荷拠点により納期が約3日程度前後する場合がございます。