次世代半導体のSiC(シリコン カーバイド＝炭化ケイ素)を使用したショットキーダイオードに高耐圧1200V仕様のものが登場。SiCは、高耐圧化、高効率、ゼロリカバリ、高速・低損失、低発熱で放熱器を削減可能といった、従来のシリコンショットキーダイオードより優れた特徴を持っています。VRRM＝1200V IF＝5.9A。

●逆方向電圧[VRRM]＝1200V
●順方向電流[IF]＝5.9A(max.)
●容量性電荷[Qc]＝15nC(min.＠VR＝1200V、IF＝2A、TJ＝25℃)
●順方向電圧[VF]＝1.4V(＠VR＝1200V、IF＝2A、TJ＝25℃)
●パッケージ：TO-220-2(2端子)

【店頭取扱情報】
・デジット営業所

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1200V耐圧の　シリコンカーバイトショットキーダイオード　入荷しました！