シリコンN-chパワーMOS-FET
2SK4017(Q)
| web販売価格 : | ￥55(税込) 注文受付単位：1 |
|---|---|
| 在庫 : | 709 （現在庫数） |
| 送料区分 : | ネコポス(ヤマト運輸)可能 |
| メーカー : | 東芝 セミコンダクター＆ストレージ社 |
| 商品コード : | E7U369 |
| 品名／型番 : | シリコンN-chパワーMOS-FET / 2SK4017(Q) |
| 登録日 : | 2014.7.30 |
| 製品情報 : | データシート/PDF |
概要
オン抵抗(RDS)は0.07Ωと低く、リレー駆動、DC-DC コンバータ、モータドライブなどに最適なパワーMOS-FET。2SK2231の代用に使用可能。
詳細
●ドレインソース間降伏電圧[VDSS]：60V
●ドレイン電流/連続[ID]：5A(max.)
●ドレイン電流/パルス[IDP]：20A
●ドレイン−ソース間オン抵抗[Rds(Ω)]：0.07Ω(VDS＝10V、ID＝2.5A)
●足配置：GDS
●ドレイン電流/連続[ID]：5A(max.)
●ドレイン電流/パルス[IDP]：20A
●ドレイン−ソース間オン抵抗[Rds(Ω)]：0.07Ω(VDS＝10V、ID＝2.5A)
●足配置：GDS
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