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SiCショットキーバリアダイオード 650V 12A
TRS12E65C

web販売価格 : ¥977   注文受付単位:1
在庫 : なし(入荷時期未定)
送料区分 : 宅配便(ヤマト運輸)
メーカー : 東芝 セミコンダクター&ストレージ社
商品コード : E91413
品名/型番 : SiCショットキーバリアダイオード 650V 12A / TRS12E65C
登録日 : 2014.9.1
製品情報 : データシート/PDF

概要

次世代半導体SiC(シリコンカーバイド/炭化ケイ素)を使用したショットキーバリアダイオード。SiCショットキーダイオードは、従来のショットキーバリアダイオードでは実現できなかった高耐圧化を実現。SiCは、ユニポーラデバイスのため逆回復時間が非常に短く温度依存性が無いため、ファーストリカバリーダイオードから置き換えることで、電源効率の改善に貢献します。VRRM=650V IF=12A。

詳細

●繰り返しピーク電圧(VRRM):650V
●ピーク順電圧(VFM):1.27V(@IF=6A)
●繰り返しピーク逆電流(IRRM):0.008μA(@VRRM=300V)
●直流電流(IF):12A
●パルス順電流(IFP):110A
●電流2乗時間積:18.0A2s
●用途
・力率改善回路
・太陽光インバータ
・無停電電源
・DC-DCコンバータ等

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