スイッチング用NchパワーMOSFET
TK100E08N1
| web販売価格 : | ￥330(税込) 注文受付単位：1 |
|---|---|
| 在庫 : | 店舗取扱品（納期最短2〜3日）在庫数の確認は「問合せフォーム」からお願いします |
| 送料区分 : | ネコポス(ヤマト運輸)可能 |
| メーカー : | 東芝 セミコンダクター＆ストレージ社 |
| 商品コード : | EAM415 |
| 品名／型番 : | スイッチング用NchパワーMOSFET / TK100E08N1 |
| 登録日 : | 2014.10.22 |
| 製品情報 : | データシート/PDF |
概要
高耐圧、大電流、低オン抵抗、高変換効率を実現した東芝の新プロセスで製造された、スイッチング用パワーMOSFETです。スイッチング電源やDC-DCコンバータ、モーター駆動用として最適。電源の製作、ロボットやハイブリッドカー、EVなどに。
【ご注意ください！】
こちらの商品は店舗取扱い品の為、在庫数がリアルタイムで変動しています。
在庫状況によりご購入希望の数量をご用意出来ない場合があります。
ご購入前に在庫数の確認ご希望の方は下記「問合せフォーム」から連絡お願いします。
▼問合せフォーム
https://eleshop.jp/shop/contact/contact.aspx?goods=EAM415
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詳細
●ドレイン・ソース間電圧(VDSS)：80V
●ゲート・ソース間電圧(VGSS)：±20V
●ドレイン電流(ID/DC)：214A
●ドレイン電流(IDP/パルス)：568A
●ゲートしきい値電圧：2.0V(min.)〜4.0V(max.)
●許容損失(PD)：255W
●オン抵抗：2.6mΩ(標準)
●足配置：GDS
●パッケージ：TO-220
●ゲート・ソース間電圧(VGSS)：±20V
●ドレイン電流(ID/DC)：214A
●ドレイン電流(IDP/パルス)：568A
●ゲートしきい値電圧：2.0V(min.)〜4.0V(max.)
●許容損失(PD)：255W
●オン抵抗：2.6mΩ(標準)
●足配置：GDS
●パッケージ：TO-220
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