【販売終了】NチャネルパワーMOS FET 100V 20A 35W (10個入) ■限定特価品■ /2SK2391-10P

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web販売価格 :	3/17～\1,500→ ￥550(税込) (通常価格￥1,500)(税込) 注文受付単位：1
在庫 :	販売終了
送料区分 :	宅配便(ヤマト運輸)
メーカー :	東芝セミコンダクター＆ストレージ社
商品コード :	Q3H412
品名／型番 :	【販売終了】NチャネルパワーMOS FET 100V 20A 35W (10個入) ■限定特価品■ /2SK2391-10P
登録日 :	2026.3.17

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#東芝セミコンダクター＆ストレージ社 #FET #限定特価品 #東芝 #Nch

概要

【在庫限りで販売終了】
セール開始時在庫数量：20セット(店頭在庫に付き在庫数は流動します)
東芝のNチャンネルMOS形トランジスタです。
リレー駆動、DC-DC コンバータ用、モータドライブ用。
●4V駆動です。
●オン抵抗が低い。：RDS(ON)＝66mΩ(標準)
●順方向伝達アドミタンスが高い。：|Yfs|＝16s(標準)
●漏れ電流が低い。：IDSS＝100μA(最大)(VDS＝100V)
●取り扱いが簡単な、エンハンスメントタイプです。
　：Vth＝0.8～2.0V(VDS＝10V、ID＝1mA)

【ご注意ください！】
こちらの商品は店舗取扱い品の為、在庫数がリアルタイムで変動しています。
在庫状況によりご購入希望の数量をご用意出来ない場合があります。

ご購入前に在庫数の確認ご希望の方は下記「問合せフォーム」から連絡お願いします。
▼問合せフォーム
https://eleshop.jp/shop/contact/contact.aspx?goods=Q3H412

詳細

【限定特価品】
通常商品と異なり、返品・交換を受け付けておりません。
●ドレイン・ソース間電圧 VDSS：100V
●ドレイン・ゲート間電圧(RGS=20kΩ) VDGR：100V
●ゲート・ソース間電圧 VGSS：±20V
●ドレイン電流
　・DC ID：20A
　・パルス IDP：80A
●許容損失(Tc=25℃) PD：35W
●アバランシェエネルギー(単発) EAS：208mJ
●アバランシェ電流 IAR：20A
●アバランシェエネルギー(連続)：EAR：3.5mJ
●ゲートしきい値電圧 Vth：0.8～2.0V
●ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON)
　・0.09Ω Typ(0.13Ω max、VGS＝4V、ID＝10A)
　・0.068Ω Typ(0.085Ω max、VGS＝10V、ID＝10A)

●詳細な仕様は不明ですので、詳細欄に明記されている以外の商品情報はございません
●限定特価品/ジャンク品の定義/販売規定についてはこちらをご確認ください。