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650V GaN HEMT内蔵 疑似共振AC/DCコンバータ(BM3GQ1A3MUV-LBZE2) ◆ROHM 取寄品◆
BM3GQ1A3MUV-LBZ

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メーカー : ローム(ROHM)
商品コード : Q7TBHQ
品名/型番 : 650V GaN HEMT内蔵 疑似共振AC/DCコンバータ(BM3GQ1A3MUV-LBZE2) ◆ROHM 取寄品◆ / BM3GQ1A3MUV-LBZ
登録日 : 2026.9.25
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概要

※表示されている在庫数はROHM社の「1〜2営業日前の在庫数」であり、弊社の実在庫数ではございません。

本製品は産業機器市場へ向けたランクの製品です。これらのアプリケーションとして、ご使用される場合に最適な商品です。BM3GQ1A3MUV-LBZは、コンセントがあるすべての製品に最適なシステムを提供する疑似共振型AC/DCコンバータです。疑似共振動作はソフトスイッチングを可能にし、EMIを低減することが可能です。650V GaN HEMTと電流検出抵抗が一体化されているので、設計を容易化できます。バースト動作は、軽負荷時の電力損失を低減します。BM3GQ1A3MUV-LBZには、ソフトスタート機能、バースト動作機能、サイクルごとの過電流保護、過電圧保護、過負荷保護などの各種保護機能が内蔵されています。

※在庫欄の表示(納期)については目安の為、納期を保証するものではありません。
 メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。

詳細

【特長】
650V GaN HEMT内蔵
疑似共振型(低EMI)
周波数低減機能
軽負荷時のバースト動作
VCC UVLO (Under Voltage Lock Out)
サイクルごとの過電流保護回路
ソフトスタート機能
Z 端子トリガマスク機能
ZT OVP(過電圧保護)
AC UVLO (Under Voltage Lock Out)
X コンデンサ放電機能

【特性】
・FET:GaN HENT Integrated
・Controller Type:QR
・Vin1(Min.)[V]:7.4
・Vin1(Max.)[V]:55
・Vmax (DrainMax) [V]:650
・Start Circuit:Integrated
・SW frequency(Max.)[kHz]:120
・BR PIN:No
・On Resistor (MOSFET)[Ω]:0.15
・Channel:1
・Light Load mode:Yes
・EN:No
・Soft Start:Yes
・Thermal Shut-down:Yes
・Under Voltage Lock Out:Yes
・Operating Temperature (Min.)[°C]:-40
・Operating Temperature (Max.)[°C]:125
・Package Size [mm]:8.0x8.0 (t=1.0)

・包装形態:テーピング
・包装数量:1000
※表示価格は税込価格です。


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