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1200V, 567A, ハーフブリッジ トレンチMOS内蔵 フルSiCパワーモジュール [代引不可](BSM600D12P4G103) ◆ROHM 取寄品◆
BSM600D12P4G103
| web販売価格 : | ￥264,385(税込) 注文受付単位：1 |
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| 数量割引価格 : |
▼数量割引価格▼ ￥192,280 / 4個〜 ￥177,859 / 8個〜 ￥153,824 / 20個〜 ￥144,210 / 40個〜 |
| 在庫 : | 4 （現在庫数） |
| 送料区分 : | 送料サービス |
| メーカー : | ローム(ROHM) |
| 商品コード : | Q7TBRC |
| 品名／型番 : | 1200V, 567A, ハーフブリッジ トレンチMOS内蔵 フルSiCパワーモジュール [代引不可](BSM600D12P4G103) ◆ROHM 取寄品◆ / BSM600D12P4G103 |
| 登録日 : | 2026.9.25 |
概要
※表示されている在庫数はROHM社の「1〜2営業日前の在庫数」であり、弊社の実在庫数ではございません。
代引不可
BSM600D12P4G103はSiC-DMOSFETからなるハーフブリッジパワーモジュールです。モータ駆動、インバータ、コンバータ、光発電、風力発電、IH装置の用途に最適です。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは？エレクトロニクス豆知識
※在庫欄の表示(納期)については目安の為、納期を保証するものではありません。
メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
代引不可
BSM600D12P4G103はSiC-DMOSFETからなるハーフブリッジパワーモジュールです。モータ駆動、インバータ、コンバータ、光発電、風力発電、IH装置の用途に最適です。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは？エレクトロニクス豆知識
※在庫欄の表示(納期)については目安の為、納期を保証するものではありません。
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詳細
【特長】
低サージ・低損失
高速スイッチング
特性の温度依存性が低い
【特性】
・Drain-source Voltage[V]：1200
・Drain Current[A]：567
・Total Power Dissipation[W]：1780
・Junction Temperature (Max.) [℃]：175
・Storage Temperature (Min.) [℃]：-40
・Storage Temperature (Max.) [℃]：125
・Package：Half-Bridge
・Package Size [mm]：152.0x62.0 (t=18.0)
・包装形態：段ボール
・包装数量：4
低サージ・低損失
高速スイッチング
特性の温度依存性が低い
【特性】
・Drain-source Voltage[V]：1200
・Drain Current[A]：567
・Total Power Dissipation[W]：1780
・Junction Temperature (Max.) [℃]：175
・Storage Temperature (Min.) [℃]：-40
・Storage Temperature (Max.) [℃]：125
・Package：Half-Bridge
・Package Size [mm]：152.0x62.0 (t=18.0)
・包装形態：段ボール
・包装数量：4
![大阪・日本橋店舗半生中継/[シリコンハウス]店内映像](/img/usr/top/Silitempo.jpg)
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