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TRCDRIVE pack, 1200V, 394A, Half-bridge, Automotive Grade SiC Power Module [代引不可](BST400D12P4A101) ◆ROHM 取寄品◆
BST400D12P4A101
| web販売価格 : | ￥77,489(税込) 注文受付単位：1 |
|---|---|
| 数量割引価格 : |
▼数量割引価格▼ ￥68,741 / 10個〜 ￥49,993 / 40個〜 ￥46,244 / 80個〜 ￥39,995 / 200個〜 ￥37,495 / 400個〜 |
| 在庫 : | 80 （現在庫数） |
| 送料区分 : | 送料サービス |
| メーカー : | ローム(ROHM) |
| 商品コード : | Q7TBRX |
| 品名／型番 : | TRCDRIVE pack, 1200V, 394A, Half-bridge, Automotive Grade SiC Power Module [代引不可](BST400D12P4A101) ◆ROHM 取寄品◆ / BST400D12P4A101 |
| 登録日 : | 2026.9.25 |
概要
※表示されている在庫数はROHM社の「1〜2営業日前の在庫数」であり、弊社の実在庫数ではございません。
代引不可
BST400D12P4A101 is a half-bridge module consisting of SiC-MOSFETs, suitable for Automotive application, Inverter, Converter, and (Hybrid) electrical vehicles EV/HEV.
※在庫欄の表示(納期)については目安の為、納期を保証するものではありません。
メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
代引不可
BST400D12P4A101 is a half-bridge module consisting of SiC-MOSFETs, suitable for Automotive application, Inverter, Converter, and (Hybrid) electrical vehicles EV/HEV.
※在庫欄の表示(納期)については目安の為、納期を保証するものではありません。
メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
詳細
【特長】
TRCDRIVE pack™
with the 4th Generation SiC-MOSFET
VDSS = 1200V
Low RDS(on)
High-speed switching possible
Low switching losses
Low stray inductance - 5.7nH
Tvjmax = 175℃
Compact design
High power density
Press-fit contact technology
Integrated NTC temperature sensor
Mountable on heatsink with thermal interface material (TIM)
Weldable power terminals
Cu clip technology
Ag sinter technology for die mounting
Higher power cycling capability
4.2kV DC 1s insulation
【特性】
・Drain-source Voltage[V]：1200
・Drain Current[A]：394
・Total Power Dissipation[W]：1667
・Junction Temperature (Max.) [℃]：175
・Storage Temperature (Min.) [℃]：-40
・Storage Temperature (Max.) [℃]：125
・Package：Half-Bridge
・Package Size [mm]：41.6x52.5 (t=7.15)
・Common Standard：AQG 324 (Automotive Grade)
・包装形態：段ボール
・包装数量：80
TRCDRIVE pack™
with the 4th Generation SiC-MOSFET
VDSS = 1200V
Low RDS(on)
High-speed switching possible
Low switching losses
Low stray inductance - 5.7nH
Tvjmax = 175℃
Compact design
High power density
Press-fit contact technology
Integrated NTC temperature sensor
Mountable on heatsink with thermal interface material (TIM)
Weldable power terminals
Cu clip technology
Ag sinter technology for die mounting
Higher power cycling capability
4.2kV DC 1s insulation
【特性】
・Drain-source Voltage[V]：1200
・Drain Current[A]：394
・Total Power Dissipation[W]：1667
・Junction Temperature (Max.) [℃]：175
・Storage Temperature (Min.) [℃]：-40
・Storage Temperature (Max.) [℃]：125
・Package：Half-Bridge
・Package Size [mm]：41.6x52.5 (t=7.15)
・Common Standard：AQG 324 (Automotive Grade)
・包装形態：段ボール
・包装数量：80
![大阪・日本橋店舗半生中継/[シリコンハウス]店内映像](/img/usr/top/Silitempo.jpg)
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