出力異常検知付き1chハイサイドスイッチ(BV1HLC45EFJ-CE2) ◆ROHM 取寄品◆
BV1HLC45EFJ-C
| web販売価格 : | ￥303(税込) 注文受付単位：10 |
|---|---|
| 数量割引価格 : |
▼数量割引価格▼ ￥275 / 50個〜 ￥238 / 100個〜 ￥210 / 500個〜 ￥189 / 1000個〜 ￥171 / 2500個〜 ￥161 / 5000個〜 ￥161 / 12500個〜 ￥161 / 25000個〜 |
| 在庫 : | ショップ欠品中 |
| 送料区分 : | 宅配便(ヤマト運輸) |
| メーカー : | ローム(ROHM) |
| 商品コード : | Q7TC16 |
| 品名／型番 : | 出力異常検知付き1chハイサイドスイッチ(BV1HLC45EFJ-CE2) ◆ROHM 取寄品◆ / BV1HLC45EFJ-C |
| 登録日 : | 2026.9.25 |
概要
※表示されている在庫数はROHM社の「1〜2営業日前の在庫数」であり、弊社の実在庫数ではございません。
BV1HLC45EFJ-Cは車載用1chハイサイドスイッチです。出力の異常モードである地絡検出(過電流制限機能)、天絡検出機能、負荷オープン検出機能や、過熱保護機能、低電時出力OFF機能を内蔵しており、異常検出時の診断出力機能を備えています。
※在庫欄の表示(納期)については目安の為、納期を保証するものではありません。
メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
BV1HLC45EFJ-Cは車載用1chハイサイドスイッチです。出力の異常モードである地絡検出(過電流制限機能)、天絡検出機能、負荷オープン検出機能や、過熱保護機能、低電時出力OFF機能を内蔵しており、異常検出時の診断出力機能を備えています。
※在庫欄の表示(納期)については目安の為、納期を保証するものではありません。
メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
詳細
【特長】
Dual TSD内蔵
(ジャンクション温度を検知する過熱保護とPower-MOSの急峻な温度上昇を検知するΔTj保護の2種類の温度保護を内蔵)
AEC-Q100 対応(Grade 1)
過電流保護機能(OCP)内蔵
過熱保護機能(TSD)内蔵
負荷オープン検出機能内蔵
天絡検出機能内蔵
低電圧時出力OFF機能(UVLO)内蔵
バッテリー、GNDの逆接続保護内蔵
診断出力内蔵
低オン抵抗のNch MOSFETスイッチを1回路内蔵
制御部(CMOS)とパワーMOSFETを1チップ上に組み込んだモノリシックパワーIC
【特性】
・Type：High side switches
・Generation：GEN2
・Qualification Grade：AEC-Q100 (Automotive Grade)
・Feature：Standard / Error Flag
・Overcurrent Protection：Limitation
・Thermal Shut Down：Self-restart
・Channel Number [ch]：1
・ON Resistance(Typ.)[mΩ]：45
・ON Resistance(Max.)[mΩ]：90
・Supply Voltage(Min.)[V]：6
・Supply Voltage(Max.)[V]：28
・Drain-Source Voltage (Max.)[V]：45
・Single Pulse Energy 25°C [mJ]：120
・Over Current Limit (Min.)[A]：2.5
・Under voltage Detection Level(Max.)[V]：5
・Current consumption(Typ.)[µA]：2000
・Open Load Detect [V]：3
・Junction Temperature Tj (Min.)[°C]：-40
・Junction Temperature Tj (Max.)[°C]：150
・Package Size [mm]：4.9x6.0 (t=1.0)
・包装形態：テーピング
・包装数量：2500
Dual TSD内蔵
(ジャンクション温度を検知する過熱保護とPower-MOSの急峻な温度上昇を検知するΔTj保護の2種類の温度保護を内蔵)
AEC-Q100 対応(Grade 1)
過電流保護機能(OCP)内蔵
過熱保護機能(TSD)内蔵
負荷オープン検出機能内蔵
天絡検出機能内蔵
低電圧時出力OFF機能(UVLO)内蔵
バッテリー、GNDの逆接続保護内蔵
診断出力内蔵
低オン抵抗のNch MOSFETスイッチを1回路内蔵
制御部(CMOS)とパワーMOSFETを1チップ上に組み込んだモノリシックパワーIC
【特性】
・Type：High side switches
・Generation：GEN2
・Qualification Grade：AEC-Q100 (Automotive Grade)
・Feature：Standard / Error Flag
・Overcurrent Protection：Limitation
・Thermal Shut Down：Self-restart
・Channel Number [ch]：1
・ON Resistance(Typ.)[mΩ]：45
・ON Resistance(Max.)[mΩ]：90
・Supply Voltage(Min.)[V]：6
・Supply Voltage(Max.)[V]：28
・Drain-Source Voltage (Max.)[V]：45
・Single Pulse Energy 25°C [mJ]：120
・Over Current Limit (Min.)[A]：2.5
・Under voltage Detection Level(Max.)[V]：5
・Current consumption(Typ.)[µA]：2000
・Open Load Detect [V]：3
・Junction Temperature Tj (Min.)[°C]：-40
・Junction Temperature Tj (Max.)[°C]：150
・Package Size [mm]：4.9x6.0 (t=1.0)
・包装形態：テーピング
・包装数量：2500
![大阪・日本橋店舗半生中継/[シリコンハウス]店内映像](/img/usr/top/Silitempo.jpg)
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