100V 13A, デュアル Nチャネル, HSMT8, Power MOSFET(HT8KE6TB1) ◆ROHM 取寄品◆
HT8KE6
| web販売価格 : | ￥140(税込) 注文受付単位：10 |
|---|---|
| 数量割引価格 : |
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| 在庫 : | 3000 （現在庫数） |
| 送料区分 : | 宅配便(ヤマト運輸) |
| メーカー : | ローム(ROHM) |
| 商品コード : | Q7TEGZ |
| 品名／型番 : | 100V 13A, デュアル Nチャネル, HSMT8, Power MOSFET(HT8KE6TB1) ◆ROHM 取寄品◆ / HT8KE6 |
| 登録日 : | 2026.9.25 |
概要
※表示されている在庫数はROHM社の「1〜2営業日前の在庫数」であり、弊社の実在庫数ではございません。
HT8KE6はスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。
※在庫欄の表示(納期)については目安の為、納期を保証するものではありません。
メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
HT8KE6はスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。
※在庫欄の表示(納期)については目安の為、納期を保証するものではありません。
メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
詳細
【特長】
低オン抵抗
小型ハイパワーパッケージ (HSMT8)
鉛フリー対応済み、RoHS準拠
ハロゲンフリー
【特性】
・Package Code：HSMT8
・Number of terminal：8
・Polarity：N+N
・Drain-Source Voltage VDSS[V]：100
・Drain Current ID[A]：13
・RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)：0.056
・RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)：0.044
・RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)：0.056
・Total gate charge Qg[nC]：3.3
・Power Dissipation (PD)[W]：14
・Drive Voltage[V]：4.5
・Mounting Style：Surface mount
・Storage Temperature (Min)[℃]：-55
・Storage Temperature (Max)[℃]：150
・Package Size [mm]：3.3x3.3 (t=0.9)
・包装形態：テーピング
・包装数量：3000
低オン抵抗
小型ハイパワーパッケージ (HSMT8)
鉛フリー対応済み、RoHS準拠
ハロゲンフリー
【特性】
・Package Code：HSMT8
・Number of terminal：8
・Polarity：N+N
・Drain-Source Voltage VDSS[V]：100
・Drain Current ID[A]：13
・RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)：0.056
・RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)：0.044
・RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)：0.056
・Total gate charge Qg[nC]：3.3
・Power Dissipation (PD)[W]：14
・Drive Voltage[V]：4.5
・Mounting Style：Surface mount
・Storage Temperature (Min)[℃]：-55
・Storage Temperature (Max)[℃]：150
・Package Size [mm]：3.3x3.3 (t=0.9)
・包装形態：テーピング
・包装数量：3000
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