超高速スイッチングタイプ, 650V 50A, TO-247N, SiC-SBD内蔵 Hybrid IGBT(RGW80TS65CHRC11) ◆ROHM 取寄品◆
RGW80TS65CHR
| web販売価格 : | ￥2,382(税込) 注文受付単位：1 |
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| 在庫 : | 60 （現在庫数） |
| 送料区分 : | 宅配便(ヤマト運輸) |
| メーカー : | ローム(ROHM) |
| 商品コード : | Q7TJ2K |
| 品名／型番 : | 超高速スイッチングタイプ, 650V 50A, TO-247N, SiC-SBD内蔵 Hybrid IGBT(RGW80TS65CHRC11) ◆ROHM 取寄品◆ / RGW80TS65CHR |
| 登録日 : | 2026.9.25 |
概要
※表示されている在庫数はROHM社の「1〜2営業日前の在庫数」であり、弊社の実在庫数ではございません。
製造中止を申請中の製品です。
※在庫欄の表示(納期)については目安の為、納期を保証するものではありません。
メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
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詳細
【特長】
AEC-Q101 Qualified
Low Collector - Emitter Saturation Voltage
Low Switching Loss & Soft Switching
Built in No Recovery Silicon Carbide SBD
Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
【特性】
・Series：W: High speed fast SW
・VCES[V]：650
・IC(100°C)[A]：40
・VCE(sat)(Typ.) [V]：1.5
・tf(Typ.) [ns]：40
・Built-in Diode：SiC-SBD
・Pd [W]：214
・BVCES(Min.)[V]：650
・Storage Temperature (Min.)[°C]：-55
・Storage Temperature (Max.)[°C]：175
・Package Size [mm]：21.0x16.0 (t=5.2)
・Common Standard：AEC-Q101 (Automotive Grade)
・包装形態：チューブ
・包装数量：450
AEC-Q101 Qualified
Low Collector - Emitter Saturation Voltage
Low Switching Loss & Soft Switching
Built in No Recovery Silicon Carbide SBD
Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
【特性】
・Series：W: High speed fast SW
・VCES[V]：650
・IC(100°C)[A]：40
・VCE(sat)(Typ.) [V]：1.5
・tf(Typ.) [ns]：40
・Built-in Diode：SiC-SBD
・Pd [W]：214
・BVCES(Min.)[V]：650
・Storage Temperature (Min.)[°C]：-55
・Storage Temperature (Max.)[°C]：175
・Package Size [mm]：21.0x16.0 (t=5.2)
・Common Standard：AEC-Q101 (Automotive Grade)
・包装形態：チューブ
・包装数量：450
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