高速度スイッチングタイプ, 650V 60A, FRD内蔵, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT(RGWSX2TS65DGC13) ◆ROHM 取寄品◆
RGWSX2TS65D
| web販売価格 : | ￥1,245(税込) 注文受付単位：1 |
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| 在庫 : | 600 （現在庫数） |
| 送料区分 : | 宅配便(ヤマト運輸) |
| メーカー : | ローム(ROHM) |
| 商品コード : | Q7TJ2V |
| 品名／型番 : | 高速度スイッチングタイプ, 650V 60A, FRD内蔵, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT(RGWSX2TS65DGC13) ◆ROHM 取寄品◆ / RGWSX2TS65D |
| 登録日 : | 2026.9.25 |
概要
※表示されている在庫数はROHM社の「1〜2営業日前の在庫数」であり、弊社の実在庫数ではございません。
RGWSX2TS65Dは高速スイッチングが特徴のIGBTで、PFC、ソーラーコンバータ、中〜高速スイッチング周波数コンバータなどのアプリケーションに最適です。
※在庫欄の表示(納期)については目安の為、納期を保証するものではありません。
メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
RGWSX2TS65Dは高速スイッチングが特徴のIGBTで、PFC、ソーラーコンバータ、中〜高速スイッチング周波数コンバータなどのアプリケーションに最適です。
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メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
詳細
【特長】
Low Collector - Emitter Saturation Voltage
High Speed Switching
Low Switching Loss & Soft Switching
Built in Very Fast & Soft Recovery FRD
Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
【特性】
・Series：WS:High speed SW, cost effective
・VCES[V]：650
・IC(100°C)[A]：60
・VCE(sat)(Typ.) [V]：1.6
・tf(Typ.) [ns]：29
・Built-in Diode：FRD
・Pd [W]：288
・BVCES(Min.)[V]：650
・Storage Temperature (Min.)[°C]：-55
・Storage Temperature (Max.)[°C]：175
・Package Size [mm]：20.95x15.94 (t=5.22)
・包装形態：チューブ
・包装数量：600
Low Collector - Emitter Saturation Voltage
High Speed Switching
Low Switching Loss & Soft Switching
Built in Very Fast & Soft Recovery FRD
Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
【特性】
・Series：WS:High speed SW, cost effective
・VCES[V]：650
・IC(100°C)[A]：60
・VCE(sat)(Typ.) [V]：1.6
・tf(Typ.) [ns]：29
・Built-in Diode：FRD
・Pd [W]：288
・BVCES(Min.)[V]：650
・Storage Temperature (Min.)[°C]：-55
・Storage Temperature (Max.)[°C]：175
・Package Size [mm]：20.95x15.94 (t=5.22)
・包装形態：チューブ
・包装数量：600
![大阪・日本橋店舗半生中継/[シリコンハウス]店内映像](/img/usr/top/Silitempo.jpg)
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