Nチャネル 100V 40A, HSMT8, Power MOSFET(RH6P040BHTB1) ◆ROHM 取寄品◆
RH6P040BH
| web販売価格 : | ￥161(税込) 注文受付単位：10 |
|---|---|
| 数量割引価格 : |
▼数量割引価格▼ ￥161 / 50個〜 ￥150 / 100個〜 ￥140 / 500個〜 ￥128 / 1000個〜 ￥108 / 3000個〜 ￥99 / 6000個〜 ￥87 / 15000個〜 ￥80 / 30000個〜 |
| 在庫 : | 3000 （現在庫数） |
| 送料区分 : | 宅配便(ヤマト運輸) |
| メーカー : | ローム(ROHM) |
| 商品コード : | Q7TJ36 |
| 品名／型番 : | Nチャネル 100V 40A, HSMT8, Power MOSFET(RH6P040BHTB1) ◆ROHM 取寄品◆ / RH6P040BH |
| 登録日 : | 2026.9.25 |
概要
※表示されている在庫数はROHM社の「1〜2営業日前の在庫数」であり、弊社の実在庫数ではございません。
RH6P040BHはスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。
※在庫欄の表示(納期)については目安の為、納期を保証するものではありません。
メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
RH6P040BHはスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。
※在庫欄の表示(納期)については目安の為、納期を保証するものではありません。
メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
詳細
【特長】
低オン抵抗
ハイパワーパッケージ (HSMT8)
鉛フリー対応済み、RoHS準拠
ハロゲンフリー
100%Rg及びアバランシェ耐量試験済
【特性】
・Package Code：HSMT8
・Number of terminal：8
・Polarity：N
・Drain-Source Voltage VDSS[V]：100
・Drain Current ID[A]：40
・RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)：0.0156
・RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)：0.012
・RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)：0.0156
・Total gate charge Qg[nC]：10.9
・Power Dissipation (PD)[W]：59
・Drive Voltage[V]：6
・trr (Typ.)[ns]：48
・Mounting Style：Surface mount
・Storage Temperature (Min)[℃]：-55
・Storage Temperature (Max)[℃]：150
・Package Size [mm]：3.3x3.3 (t=0.9)
・包装形態：テーピング
・包装数量：3000
低オン抵抗
ハイパワーパッケージ (HSMT8)
鉛フリー対応済み、RoHS準拠
ハロゲンフリー
100%Rg及びアバランシェ耐量試験済
【特性】
・Package Code：HSMT8
・Number of terminal：8
・Polarity：N
・Drain-Source Voltage VDSS[V]：100
・Drain Current ID[A]：40
・RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)：0.0156
・RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)：0.012
・RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)：0.0156
・Total gate charge Qg[nC]：10.9
・Power Dissipation (PD)[W]：59
・Drive Voltage[V]：6
・trr (Typ.)[ns]：48
・Mounting Style：Surface mount
・Storage Temperature (Min)[℃]：-55
・Storage Temperature (Max)[℃]：150
・Package Size [mm]：3.3x3.3 (t=0.9)
・包装形態：テーピング
・包装数量：3000
![大阪・日本橋店舗半生中継/[シリコンハウス]店内映像](/img/usr/top/Silitempo.jpg)
取寄せ品！通常納期：3〜5営業日(ROHMから弊社に到着後出荷)