Pチャネル -100V -105A, TO-263AB, パワーMOSFET(RJ1P10BATTL1) ◆ROHM 取寄品◆
RJ1P10BAT
| web販売価格 : | ￥633(税込) 注文受付単位：10 |
|---|---|
| 数量割引価格 : |
▼数量割引価格▼ ￥591 / 50個〜 ￥550 / 100個〜 ￥506 / 500個〜 ￥423 / 800個〜 ￥390 / 1600個〜 ￥338 / 4000個〜 ￥317 / 8000個〜 |
| 在庫 : | 100 （現在庫数） |
| 送料区分 : | 宅配便(ヤマト運輸) |
| メーカー : | ローム(ROHM) |
| 商品コード : | Q7TJ3Z |
| 品名／型番 : | Pチャネル -100V -105A, TO-263AB, パワーMOSFET(RJ1P10BATTL1) ◆ROHM 取寄品◆ / RJ1P10BAT |
| 登録日 : | 2026.9.25 |
概要
※表示されている在庫数はROHM社の「1〜2営業日前の在庫数」であり、弊社の実在庫数ではございません。
RJ1P10BATはスイッチングやモーター用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。
※在庫欄の表示(納期)については目安の為、納期を保証するものではありません。
メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
RJ1P10BATはスイッチングやモーター用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。
※在庫欄の表示(納期)については目安の為、納期を保証するものではありません。
メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
詳細
【特長】
低オン抵抗
ハイパワーパッケージ (TO263AB)
鉛フリー対応済み、RoHS準拠
ハロゲンフリー
100%Rg及びアバランシェ耐量試験済
【特性】
・Package Code：TO-263AB
・Applications：Switching
・Number of terminal：3
・Polarity：P
・Drain-Source Voltage VDSS[V]：-100
・Drain Current ID[A]：-105
・RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)：0.0104
・RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)：0.0094
・RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)：0.0104
・Total gate charge Qg[nC]：255
・Power Dissipation (PD)[W]：201
・Drive Voltage[V]：-6
・trr (Typ.)[ns]：62
・Mounting Style：Surface mount
・Storage Temperature (Min)[℃]：-55
・Storage Temperature (Max)[℃]：150
・Package Size [mm]：15.1×10.11 (t=4.77)
・包装形態：テーピング
・包装数量：800
低オン抵抗
ハイパワーパッケージ (TO263AB)
鉛フリー対応済み、RoHS準拠
ハロゲンフリー
100%Rg及びアバランシェ耐量試験済
【特性】
・Package Code：TO-263AB
・Applications：Switching
・Number of terminal：3
・Polarity：P
・Drain-Source Voltage VDSS[V]：-100
・Drain Current ID[A]：-105
・RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)：0.0104
・RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)：0.0094
・RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)：0.0104
・Total gate charge Qg[nC]：255
・Power Dissipation (PD)[W]：201
・Drive Voltage[V]：-6
・trr (Typ.)[ns]：62
・Mounting Style：Surface mount
・Storage Temperature (Min)[℃]：-55
・Storage Temperature (Max)[℃]：150
・Package Size [mm]：15.1×10.11 (t=4.77)
・包装形態：テーピング
・包装数量：800
![大阪・日本橋店舗半生中継/[シリコンハウス]店内映像](/img/usr/top/Silitempo.jpg)
取寄せ品！通常納期：3〜5営業日(ROHMから弊社に到着後出荷)