Nチャネル 30V 80A Power MOSFET(RS1E301GNTB1) ◆ROHM 取寄品◆
RS1E301GN
| web販売価格 : | ￥186(税込) 注文受付単位：10 |
|---|---|
| 数量割引価格 : |
▼数量割引価格▼ ￥186 / 50個〜 ￥174 / 100個〜 ￥161 / 500個〜 ￥149 / 1000個〜 ￥124 / 2500個〜 ￥116 / 5000個〜 ￥99 / 12500個〜 ￥93 / 25000個〜 |
| 在庫 : | 2600 （現在庫数） |
| 送料区分 : | 宅配便(ヤマト運輸) |
| メーカー : | ローム(ROHM) |
| 商品コード : | Q7TJAI |
| 品名／型番 : | Nチャネル 30V 80A Power MOSFET(RS1E301GNTB1) ◆ROHM 取寄品◆ / RS1E301GN |
| 登録日 : | 2026.9.25 |
概要
※表示されている在庫数はROHM社の「1〜2営業日前の在庫数」であり、弊社の実在庫数ではございません。
RS1E301GNはハイパワーパッケージ (HSOP8) で低オン抵抗が特長のパワーMOSFETです。スイッチング用途に最適です。
※在庫欄の表示(納期)については目安の為、納期を保証するものではありません。
メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
RS1E301GNはハイパワーパッケージ (HSOP8) で低オン抵抗が特長のパワーMOSFETです。スイッチング用途に最適です。
※在庫欄の表示(納期)については目安の為、納期を保証するものではありません。
メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
詳細
【特長】
低オン抵抗
ハイパワーパッケージ (HSOP8)
鉛フリー対応済み、RoHS準拠
ハロゲンフリー
100% Rg 及びアバランシェ耐量試験済
【特性】
・Package Code：HSOP8
・Number of terminal：8
・Polarity：N
・Drain-Source Voltage VDSS[V]：30
・Drain Current ID[A]：80
・RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)：0.0022
・RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)：0.0017
・RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)：0.0022
・Total gate charge Qg[nC]：18.5
・Power Dissipation (PD)[W]：33
・Drive Voltage[V]：4.5
・Mounting Style：Surface mount
・Storage Temperature (Min)[℃]：-55
・Storage Temperature (Max)[℃]：150
・Package Size [mm]：6.0x4.9 (t=1.1)
・包装形態：テーピング
・包装数量：2500
低オン抵抗
ハイパワーパッケージ (HSOP8)
鉛フリー対応済み、RoHS準拠
ハロゲンフリー
100% Rg 及びアバランシェ耐量試験済
【特性】
・Package Code：HSOP8
・Number of terminal：8
・Polarity：N
・Drain-Source Voltage VDSS[V]：30
・Drain Current ID[A]：80
・RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)：0.0022
・RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)：0.0017
・RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)：0.0022
・Total gate charge Qg[nC]：18.5
・Power Dissipation (PD)[W]：33
・Drive Voltage[V]：4.5
・Mounting Style：Surface mount
・Storage Temperature (Min)[℃]：-55
・Storage Temperature (Max)[℃]：150
・Package Size [mm]：6.0x4.9 (t=1.1)
・包装形態：テーピング
・包装数量：2500
![大阪・日本橋店舗半生中継/[シリコンハウス]店内映像](/img/usr/top/Silitempo.jpg)
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