Nチャネル 100V 200A, DFN5060-8S, Wide-SOAパワーMOSFET(RS7P200BMTB1) ◆ROHM 取寄品◆
RS7P200BM
| web販売価格 : | ￥515(税込) 注文受付単位：10 |
|---|---|
| 数量割引価格 : |
▼数量割引価格▼ ￥515 / 50個〜 ￥481 / 100個〜 ￥446 / 500個〜 ￥412 / 1000個〜 ￥343 / 2500個〜 ￥318 / 5000個〜 ￥275 / 12500個〜 ￥257 / 25000個〜 |
| 在庫 : | ショップ欠品中 |
| 送料区分 : | 宅配便(ヤマト運輸) |
| メーカー : | ローム(ROHM) |
| 商品コード : | Q7TJBS |
| 品名／型番 : | Nチャネル 100V 200A, DFN5060-8S, Wide-SOAパワーMOSFET(RS7P200BMTB1) ◆ROHM 取寄品◆ / RS7P200BM |
| 登録日 : | 2026.9.25 |
概要
※表示されている在庫数はROHM社の「1〜2営業日前の在庫数」であり、弊社の実在庫数ではございません。
RS7P200BMはホットスワップコントローラー (HSC) 用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。
※在庫欄の表示(納期)については目安の為、納期を保証するものではありません。
メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
RS7P200BMはホットスワップコントローラー (HSC) 用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。
※在庫欄の表示(納期)については目安の為、納期を保証するものではありません。
メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
詳細
【特長】
低オン抵抗
ハイパワーパッケージ (DFN5060T8LSHAAE)
鉛フリー対応済み、RoHS準拠
ハロゲンフリー
100%Rg及びアバランシェ耐量試験済
Wide-SOA
【特性】
・Package Code：DFN5060-8S
・Number of terminal：8
・Polarity：N
・Drain-Source Voltage VDSS[V]：100
・Drain Current ID[A]：200
・RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)：0.0031
・RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)：0.0031
・Total gate charge Qg[nC]：72
・Power Dissipation (PD)[W]：217
・Drive Voltage[V]：10
・trr (Typ.)[ns]：77
・Mounting Style：Surface mount
・Storage Temperature (Min)[℃]：-55
・Storage Temperature (Max)[℃]：175
・Package Size [mm]：6.0x5.0 (t=1.1)
・包装形態：テーピング
・包装数量：2500
低オン抵抗
ハイパワーパッケージ (DFN5060T8LSHAAE)
鉛フリー対応済み、RoHS準拠
ハロゲンフリー
100%Rg及びアバランシェ耐量試験済
Wide-SOA
【特性】
・Package Code：DFN5060-8S
・Number of terminal：8
・Polarity：N
・Drain-Source Voltage VDSS[V]：100
・Drain Current ID[A]：200
・RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)：0.0031
・RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)：0.0031
・Total gate charge Qg[nC]：72
・Power Dissipation (PD)[W]：217
・Drive Voltage[V]：10
・trr (Typ.)[ns]：77
・Mounting Style：Surface mount
・Storage Temperature (Min)[℃]：-55
・Storage Temperature (Max)[℃]：175
・Package Size [mm]：6.0x5.0 (t=1.1)
・包装形態：テーピング
・包装数量：2500
![大阪・日本橋店舗半生中継/[シリコンハウス]店内映像](/img/usr/top/Silitempo.jpg)
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