1200V, 72A, THD, トレンチ構造 SiC-MOSFET(SCT3030KLGC11) ◆ROHM 取寄品◆
SCT3030KL
| web販売価格 : | ￥9,938(税込) 注文受付単位：1 |
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| 在庫 : | 390 （現在庫数） |
| 送料区分 : | 送料サービス |
| メーカー : | ローム(ROHM) |
| 商品コード : | Q7TJHV |
| 品名／型番 : | 1200V, 72A, THD, トレンチ構造 SiC-MOSFET(SCT3030KLGC11) ◆ROHM 取寄品◆ / SCT3030KL |
| 登録日 : | 2026.9.25 |
概要
※表示されている在庫数はROHM社の「1〜2営業日前の在庫数」であり、弊社の実在庫数ではございません。
SCT3030KLは1200V 72AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは？エレクトロニクス豆知識
※在庫欄の表示(納期)については目安の為、納期を保証するものではありません。
メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
SCT3030KLは1200V 72AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは？エレクトロニクス豆知識
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詳細
【特性】
・Drain-source Voltage[V]：1200
・Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]：30
・Generation：3rd Gen (Trench)
・Drain Current[A]：72
・Total Power Dissipation[W]：339
・Junction Temperature(Max.)[°C]：175
・Storage Temperature (Min.)[°C]：-55
・Storage Temperature (Max.)[°C]：175
・Package Size [mm]：21.0x16.0 (t=5.2)
・包装形態：チューブ
・包装数量：450
・Drain-source Voltage[V]：1200
・Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]：30
・Generation：3rd Gen (Trench)
・Drain Current[A]：72
・Total Power Dissipation[W]：339
・Junction Temperature(Max.)[°C]：175
・Storage Temperature (Min.)[°C]：-55
・Storage Temperature (Max.)[°C]：175
・Package Size [mm]：21.0x16.0 (t=5.2)
・包装形態：チューブ
・包装数量：450
![大阪・日本橋店舗半生中継/[シリコンハウス]店内映像](/img/usr/top/Silitempo.jpg)
 ◆ROHM 取寄品◆](/PRODUCTS/CATALOG/ROHM/SCT3022KLGC11.gif)
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