1200V, 17A, THD, トレンチ構造 SiC-MOSFET(SCT3160KLGC11) ◆ROHM 取寄品◆
SCT3160KL
| web販売価格 : | ￥2,286(税込) 注文受付単位：1 |
|---|---|
| 数量割引価格 : |
▼数量割引価格▼ ￥2,104 / 10個〜 ￥1,890 / 50個〜 ￥1,677 / 100個〜 ￥1,220 / 450個〜 ￥1,129 / 900個〜 ￥976 / 2250個〜 ￥915 / 4500個〜 |
| 在庫 : | 170 （現在庫数） |
| 送料区分 : | 宅配便(ヤマト運輸) |
| メーカー : | ローム(ROHM) |
| 商品コード : | Q7TJIA |
| 品名／型番 : | 1200V, 17A, THD, トレンチ構造 SiC-MOSFET(SCT3160KLGC11) ◆ROHM 取寄品◆ / SCT3160KL |
| 登録日 : | 2026.9.25 |
概要
※表示されている在庫数はROHM社の「1〜2営業日前の在庫数」であり、弊社の実在庫数ではございません。
SCT3160KLは1200V 17AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは？エレクトロニクス豆知識
※在庫欄の表示(納期)については目安の為、納期を保証するものではありません。
メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
SCT3160KLは1200V 17AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは？エレクトロニクス豆知識
※在庫欄の表示(納期)については目安の為、納期を保証するものではありません。
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詳細
【特性】
・Drain-source Voltage[V]：1200
・Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]：160
・Generation：3rd Gen (Trench)
・Drain Current[A]：17
・Total Power Dissipation[W]：103
・Junction Temperature(Max.)[°C]：175
・Storage Temperature (Min.)[°C]：-55
・Storage Temperature (Max.)[°C]：175
・Package Size [mm]：21.0x16.0 (t=5.2)
・包装形態：チューブ
・包装数量：450
・Drain-source Voltage[V]：1200
・Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]：160
・Generation：3rd Gen (Trench)
・Drain Current[A]：17
・Total Power Dissipation[W]：103
・Junction Temperature(Max.)[°C]：175
・Storage Temperature (Min.)[°C]：-55
・Storage Temperature (Max.)[°C]：175
・Package Size [mm]：21.0x16.0 (t=5.2)
・包装形態：チューブ
・包装数量：450
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