1200V, 24A, 7端子SMD, トレンチ構造 自動車向けSiC-MOSFET(SCT4062KWAHRTL) ◆ROHM 取寄品◆
SCT4062KWAHR
| web販売価格 : | ￥1,909(税込) 注文受付単位：1 |
|---|---|
| 数量割引価格 : |
▼数量割引価格▼ ￥1,909 / 10個〜 ￥1,758 / 50個〜 ￥1,579 / 100個〜 ￥1,401 / 500個〜 ￥1,019 / 1000個〜 ￥943 / 2000個〜 ￥815 / 5000個〜 ￥765 / 10000個〜 |
| 在庫 : | 1000 （現在庫数） |
| 送料区分 : | 宅配便(ヤマト運輸) |
| メーカー : | ローム(ROHM) |
| 商品コード : | Q7TJJR |
| 品名／型番 : | 1200V, 24A, 7端子SMD, トレンチ構造 自動車向けSiC-MOSFET(SCT4062KWAHRTL) ◆ROHM 取寄品◆ / SCT4062KWAHR |
| 登録日 : | 2026.9.25 |
概要
※表示されている在庫数はROHM社の「1〜2営業日前の在庫数」であり、弊社の実在庫数ではございません。
SCT4062KWAHRは1200V, 24AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。AEC-Q101に準拠した高信頼性の車載グレード製品です。ロームの第4世代SiC MOSFETSCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
※在庫欄の表示(納期)については目安の為、納期を保証するものではありません。
メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
SCT4062KWAHRは1200V, 24AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。AEC-Q101に準拠した高信頼性の車載グレード製品です。ロームの第4世代SiC MOSFETSCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
※在庫欄の表示(納期)については目安の為、納期を保証するものではありません。
メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
詳細
【特長】
Qualified to AEC-Q101
Low on-resistance
Fast switching speed
Fast reverse recovery
Easy to parallel
Simple to drive
Pb-free lead plating ; RoHS compliant
Wide creepage distance = min.4.7mm
【特性】
・Drain-source Voltage[V]：1200
・Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]：62
・Generation：4th Gen (Trench)
・Drain Current[A]：24
・Total Power Dissipation[W]：93
・Junction Temperature(Max.)[°C]：175
・Storage Temperature (Min.)[°C]：-40
・Storage Temperature (Max.)[°C]：175
・Package Size [mm]：15.4x10.2 (t=4.7)
・Common Standard：AEC-Q101 (Automotive Grade)
・包装形態：テーピング
・包装数量：1000
Qualified to AEC-Q101
Low on-resistance
Fast switching speed
Fast reverse recovery
Easy to parallel
Simple to drive
Pb-free lead plating ; RoHS compliant
Wide creepage distance = min.4.7mm
【特性】
・Drain-source Voltage[V]：1200
・Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]：62
・Generation：4th Gen (Trench)
・Drain Current[A]：24
・Total Power Dissipation[W]：93
・Junction Temperature(Max.)[°C]：175
・Storage Temperature (Min.)[°C]：-40
・Storage Temperature (Max.)[°C]：175
・Package Size [mm]：15.4x10.2 (t=4.7)
・Common Standard：AEC-Q101 (Automotive Grade)
・包装形態：テーピング
・包装数量：1000
![大阪・日本橋店舗半生中継/[シリコンハウス]店内映像](/img/usr/top/Silitempo.jpg)
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