ROHM 特集
【ローム製品 約15,000点、取扱開始！】
共立エレショップでは、ローム株式会社の半導体・電子部品 約15,000点を新たに取寄せでご購入いただけるようになりました。
抵抗器、ダイオード、トランジスタ、各種ICをはじめ、電源・モータ制御、センサ、通信関連など、幅広い製品をラインアップ。
ご注文後、3〜5営業日以内の出荷を目安にお届けします。
ロームの高品質・高信頼な電子部品を、いつもの共立エレショップから手軽にご注文いただけます。
試作・研究開発はもちろん、製品開発や保守用途にもおすすめ。部品選びの幅が大きく広がります。ぜひご活用ください。
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- 商品コード： Q7TJHH
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- 在庫： ショップ欠品中
取寄せ品！通常納期：3〜5営業日(ROHMから弊社に到着後出荷)
※表示されている在庫数はROHM社の「1〜2営業日前の在庫数」であり、弊社の実在庫数ではございません。
スイッチング損失を低減でき、高速スイッチングが可能になります。ワイド沿面距離、3pinパッケージ。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは？エレクトロニクス豆知識
※在庫欄の表示(納期)については目安の為、納期を保証するものではありません。
メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
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web販売価格 ￥1,828(税込)
- 商品コード： Q7TJHD
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- 在庫： 120
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web販売価格 ￥2,210(税込)
- 商品コード： Q7TJHE
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- 在庫： 120
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SCS320KE2HRはAEC-Q101に準拠した車載対応のSiCショットキーバリアダイオードです。スイッチング損失を低減でき、高速スイッチングが可能になります。3pinパッケージ。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは？エレクトロニクス豆知識
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web販売価格 ￥2,210(税込)
- 商品コード： Q7TJJP
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- 在庫： 1000
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SCT4062KW7HRは1200V, 24AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。AEC-Q101に準拠した高信頼性の車載グレード製品です。ロームの第4世代SiC MOSFETSCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
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SCT4062KW7HRは1200V, 24AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。AEC-Q101に準拠した高信頼性の車載グレード製品です。ロームの第4世代SiC MOSFETSCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
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web販売価格 ￥1,909(税込)
- 商品コード： Q7TJJR
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- 在庫： 1000
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SCT4062KWAHRは1200V, 24AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。AEC-Q101に準拠した高信頼性の車載グレード製品です。ロームの第4世代SiC MOSFETSCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
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SCT4062KWAHRは1200V, 24AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。AEC-Q101に準拠した高信頼性の車載グレード製品です。ロームの第4世代SiC MOSFETSCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
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web販売価格 ￥1,909(税込)
- 商品コード： Q7TJJQ
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- 在庫： 1000
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SCT4062KW7は1200V, 40AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。ロームの第4世代SiC MOSFETSCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
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SCT4062KW7は1200V, 40AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。ロームの第4世代SiC MOSFETSCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
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web販売価格 ￥1,909(税込)
- 商品コード： Q7TJI6
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- 在庫： 450
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SCT3105KLは1200V 24AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは？エレクトロニクス豆知識
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SCT3105KLは1200V 24AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは？エレクトロニクス豆知識
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web販売価格 ￥3,430(税込)
- 商品コード： Q7TJI7
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- 在庫： 390
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SCT3105KLHRは1200V 24AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。AEC-Q101に準拠した高信頼性の車載グレード製品です。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは？エレクトロニクス豆知識
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SCT3105KLHRは1200V 24AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。AEC-Q101に準拠した高信頼性の車載グレード製品です。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは？エレクトロニクス豆知識
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web販売価格 ￥3,940(税込)
- 商品コード： Q7TJJM
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- 在庫： 30
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SCT4062KEHRは1200V, 26AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。AEC-Q101に準拠した高信頼性の車載グレード製品です。ロームの第4世代SiC MOSFETSCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
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SCT4062KEHRは1200V, 26AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。AEC-Q101に準拠した高信頼性の車載グレード製品です。ロームの第4世代SiC MOSFETSCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
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web販売価格 ￥2,017(税込)
- 商品コード： Q7TJJO
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- 在庫： 270
取寄せ品！通常納期：3〜5営業日(ROHMから弊社に到着後出荷)
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SCT4062KRHRは1200V, 26AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。AEC-Q101に準拠した高信頼性の車載グレード製品です。ロームの第4世代SiC MOSFETSCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
※在庫欄の表示(納期)については目安の為、納期を保証するものではありません。
メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
SCT4062KRHRは1200V, 26AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。AEC-Q101に準拠した高信頼性の車載グレード製品です。ロームの第4世代SiC MOSFETSCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
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メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
web販売価格 ￥2,017(税込)
 ◆ROHM 取寄品◆](/PRODUCTS/CATALOG/ROHM/BSM300D12P4G101.gif)
- 商品コード： Q7TBR8
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- 在庫： 4
取寄せ品！通常納期：3〜5営業日(ROHMから弊社に到着後出荷)
※表示されている在庫数はROHM社の「1〜2営業日前の在庫数」であり、弊社の実在庫数ではございません。
代引不可
BSM300D12P4G101はSiC-UMOSFETからなるハーフブリッジパワーモジュールです。モータ駆動、インバータ、コンバータ、光発電、風力発電、IH装置の用途に最適です。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは？エレクトロニクス豆知識
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代引不可
BSM300D12P4G101はSiC-UMOSFETからなるハーフブリッジパワーモジュールです。モータ駆動、インバータ、コンバータ、光発電、風力発電、IH装置の用途に最適です。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは？エレクトロニクス豆知識
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メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
web販売価格 ￥184,374(税込)
- 商品コード： Q7TJJK
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- 在庫： ショップ欠品中
取寄せ品！通常納期：3〜5営業日(ROHMから弊社に到着後出荷)
※表示されている在庫数はROHM社の「1〜2営業日前の在庫数」であり、弊社の実在庫数ではございません。
SCT4050KWAは1200V, 29AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。ロームの第4世代SiC MOSFETSCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
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SCT4050KWAは1200V, 29AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。ロームの第4世代SiC MOSFETSCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
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メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
web販売価格 ￥2,228(税込)
- 商品コード： Q7TJHK
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- 在庫： 120
取寄せ品！通常納期：3〜5営業日(ROHMから弊社に到着後出荷)
※表示されている在庫数はROHM社の「1〜2営業日前の在庫数」であり、弊社の実在庫数ではございません。
SCS330KE2HRはAEC-Q101に準拠した車載対応のSiCショットキーバリアダイオードです。スイッチング損失を低減でき、高速スイッチングが可能になります。3pinパッケージ。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは？エレクトロニクス豆知識
※在庫欄の表示(納期)については目安の為、納期を保証するものではありません。
メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
SCS330KE2HRはAEC-Q101に準拠した車載対応のSiCショットキーバリアダイオードです。スイッチング損失を低減でき、高速スイッチングが可能になります。3pinパッケージ。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは？エレクトロニクス豆知識
※在庫欄の表示(納期)については目安の為、納期を保証するものではありません。
メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
web販売価格 ￥2,923(税込)
- 商品コード： Q7TJHJ
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- 在庫： 120
取寄せ品！通常納期：3〜5営業日(ROHMから弊社に到着後出荷)
※表示されている在庫数はROHM社の「1〜2営業日前の在庫数」であり、弊社の実在庫数ではございません。
スイッチング損失を低減でき、高速スイッチングが可能になります。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは？エレクトロニクス豆知識
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スイッチング損失を低減でき、高速スイッチングが可能になります。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは？エレクトロニクス豆知識
※在庫欄の表示(納期)については目安の為、納期を保証するものではありません。
メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
web販売価格 ￥2,923(税込)
- 商品コード： Q7TJI4
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- 在庫： 450
取寄せ品！通常納期：3〜5営業日(ROHMから弊社に到着後出荷)
※表示されている在庫数はROHM社の「1〜2営業日前の在庫数」であり、弊社の実在庫数ではございません。
SCT3080KLは1200V 31AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは？エレクトロニクス豆知識
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SCT3080KLは1200V 31AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは？エレクトロニクス豆知識
※在庫欄の表示(納期)については目安の為、納期を保証するものではありません。
メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
web販売価格 ￥3,780(税込)
- 商品コード： Q7TJI5
- 数量割引リンク
- 在庫： 42
取寄せ品！通常納期：3〜5営業日(ROHMから弊社に到着後出荷)
※表示されている在庫数はROHM社の「1〜2営業日前の在庫数」であり、弊社の実在庫数ではございません。
SCT3080KLHRは1200V 31AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。AEC-Q101に準拠した高信頼性の車載グレード製品です。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは？エレクトロニクス豆知識
※在庫欄の表示(納期)については目安の為、納期を保証するものではありません。
メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
SCT3080KLHRは1200V 31AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。AEC-Q101に準拠した高信頼性の車載グレード製品です。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは？エレクトロニクス豆知識
※在庫欄の表示(納期)については目安の為、納期を保証するものではありません。
メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
web販売価格 ￥3,897(税込)
- 商品コード： Q7TJJG
- 数量割引リンク
- 在庫： 115
取寄せ品！通常納期：3〜5営業日(ROHMから弊社に到着後出荷)
※表示されている在庫数はROHM社の「1〜2営業日前の在庫数」であり、弊社の実在庫数ではございません。
SCT4050KEは1200V, 32AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。ロームの第4世代SiC MOSFETSCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
※在庫欄の表示(納期)については目安の為、納期を保証するものではありません。
メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
SCT4050KEは1200V, 32AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。ロームの第4世代SiC MOSFETSCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
※在庫欄の表示(納期)については目安の為、納期を保証するものではありません。
メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
web販売価格 ￥2,374(税込)
- 商品コード： Q7TJJH
- 数量割引リンク
- 在庫： 120
取寄せ品！通常納期：3〜5営業日(ROHMから弊社に到着後出荷)
※表示されている在庫数はROHM社の「1〜2営業日前の在庫数」であり、弊社の実在庫数ではございません。
SCT4050KEHRは1200V, 32AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。AEC-Q101に準拠した高信頼性の車載グレード製品です。ロームの第4世代SiC MOSFETSCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
※在庫欄の表示(納期)については目安の為、納期を保証するものではありません。
メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
SCT4050KEHRは1200V, 32AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。AEC-Q101に準拠した高信頼性の車載グレード製品です。ロームの第4世代SiC MOSFETSCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
※在庫欄の表示(納期)については目安の為、納期を保証するものではありません。
メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
web販売価格 ￥2,447(税込)
- 商品コード： Q7TJJI
- 数量割引リンク
- 在庫： 120
取寄せ品！通常納期：3〜5営業日(ROHMから弊社に到着後出荷)
※表示されている在庫数はROHM社の「1〜2営業日前の在庫数」であり、弊社の実在庫数ではございません。
SCT4050KRは1200V, 32AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。ロームの第4世代SiC MOSFETSCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
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メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
SCT4050KRは1200V, 32AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。ロームの第4世代SiC MOSFETSCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
※在庫欄の表示(納期)については目安の為、納期を保証するものではありません。
メーカーの在庫状況により、ご注文数をご用意できない場合がございますので、あらかじめご了承ください。
web販売価格 ￥2,334(税込)
- 商品コード： Q7TJJJ
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- 在庫： 120
取寄せ品！通常納期：3〜5営業日(ROHMから弊社に到着後出荷)
※表示されている在庫数はROHM社の「1〜2営業日前の在庫数」であり、弊社の実在庫数ではございません。
SCT4050KRHRは1200V, 32AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。AEC-Q101に準拠した高信頼性の車載グレード製品です。ロームの第4世代SiC MOSFETSCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
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SCT4050KRHRは1200V, 32AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。AEC-Q101に準拠した高信頼性の車載グレード製品です。ロームの第4世代SiC MOSFETSCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
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web販売価格 ￥2,334(税込)
- 商品コード： Q7TJJ2
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- 在庫： 445
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SCT4036KEはアプリケーションの小型化や低消費電力化に貢献するSiC MOSFETです。ロームの第4世代SiC MOSFETSCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
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SCT4036KEはアプリケーションの小型化や低消費電力化に貢献するSiC MOSFETです。ロームの第4世代SiC MOSFETSCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
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web販売価格 ￥2,876(税込)
- 商品コード： Q7TJJ4
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- 在庫： 1060
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SCT4036KRはアプリケーションの小型化や低消費電力化に貢献するSiC MOSFETです。パッケージはSiC MOSFETの特長である高速スイッチング性能を最大限に引き出すことができるドライバソース端子を有します。ロームの第4世代SiC MOSFETSCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
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SCT4036KRはアプリケーションの小型化や低消費電力化に貢献するSiC MOSFETです。パッケージはSiC MOSFETの特長である高速スイッチング性能を最大限に引き出すことができるドライバソース端子を有します。ロームの第4世代SiC MOSFETSCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
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web販売価格 ￥2,876(税込)
- 商品コード： Q7TJJ6
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- 在庫： 1000
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SCT4036KW7は1200V, 40AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。ロームの第4世代SiC MOSFETSCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
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SCT4036KW7は1200V, 40AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。ロームの第4世代SiC MOSFETSCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
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web販売価格 ￥2,768(税込)
- 商品コード： Q7TJHL
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- 在庫： 120
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スイッチング損失を低減でき、高速スイッチングが可能になります。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは？エレクトロニクス豆知識
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web販売価格 ￥3,692(税込)
- 商品コード： Q7TJHM
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- 在庫： 120
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SCS340KE2HRはAEC-Q101に準拠した車載対応のSiCショットキーバリアダイオードです。スイッチング損失を低減でき、高速スイッチングが可能になります。3pinパッケージ。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは？エレクトロニクス豆知識
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SCS340KE2HRはAEC-Q101に準拠した車載対応のSiCショットキーバリアダイオードです。スイッチング損失を低減でき、高速スイッチングが可能になります。3pinパッケージ。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは？エレクトロニクス豆知識
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web販売価格 ￥3,692(税込)
- 商品コード： Q7TJJ3
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- 在庫： 300
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SCT4036KEHRは1200V, 43AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。AEC-Q101に準拠した高信頼性の車載グレード製品です。ロームの第4世代SiC MOSFETSCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
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SCT4036KEHRは1200V, 43AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。AEC-Q101に準拠した高信頼性の車載グレード製品です。ロームの第4世代SiC MOSFETSCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
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web販売価格 ￥2,876(税込)
- 商品コード： Q7TJJ5
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- 在庫： 450
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SCT4036KRHRは1200V, 43AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。AEC-Q101に準拠した高信頼性の車載グレード製品です。ロームの第4世代SiC MOSFETSCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
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SCT4036KRHRは1200V, 43AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。AEC-Q101に準拠した高信頼性の車載グレード製品です。ロームの第4世代SiC MOSFETSCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
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web販売価格 ￥2,876(税込)
 ◆ROHM 取寄品◆](/PRODUCTS/CATALOG/ROHM/BSM450D12P4G102.gif)
- 商品コード： Q7TBRA
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- 在庫： 1
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代引不可
BSM450D12P4G102はSiC-DMOSFETからなるハーフブリッジパワーモジュールです。モータ駆動、インバータ、コンバータ、光発電、風力発電、IH装置の用途に最適です。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは？エレクトロニクス豆知識
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代引不可
BSM450D12P4G102はSiC-DMOSFETからなるハーフブリッジパワーモジュールです。モータ駆動、インバータ、コンバータ、光発電、風力発電、IH装置の用途に最適です。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは？エレクトロニクス豆知識
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web販売価格 ￥229,598(税込)
- 商品コード： Q7TJHX
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- 在庫： 27
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SCT3040KLは1200V 55AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは？エレクトロニクス豆知識
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SCT3040KLは1200V 55AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは？エレクトロニクス豆知識
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web販売価格 ￥7,244(税込)
- 商品コード： Q7TJHY
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- 在庫： 90
取寄せ品！通常納期：3〜5営業日(ROHMから弊社に到着後出荷)
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SCT3040KLHRは1200V 55AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。AEC-Q101に準拠した高信頼性の車載グレード製品です。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは？エレクトロニクス豆知識
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SCT3040KLHRは1200V 55AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。AEC-Q101に準拠した高信頼性の車載グレード製品です。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは？エレクトロニクス豆知識
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web販売価格 ￥7,468(税込)
 ◆ROHM 取寄品◆](/PRODUCTS/CATALOG/ROHM/BSM600D12P4G103.gif)
- 商品コード： Q7TBRC
- 数量割引リンク
- 在庫： 4
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BSM600D12P4G103はSiC-DMOSFETからなるハーフブリッジパワーモジュールです。モータ駆動、インバータ、コンバータ、光発電、風力発電、IH装置の用途に最適です。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは？エレクトロニクス豆知識
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BSM600D12P4G103はSiC-DMOSFETからなるハーフブリッジパワーモジュールです。モータ駆動、インバータ、コンバータ、光発電、風力発電、IH装置の用途に最適です。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは？エレクトロニクス豆知識
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web販売価格 ￥264,385(税込)
- 商品コード： Q7TJGW
- 在庫： 100
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web販売価格 ￥685(税込)
- 商品コード： Q7TJGZ
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- 在庫： ショップ欠品中
取寄せ品！通常納期：3〜5営業日(ROHMから弊社に到着後出荷)
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スイッチング損失を低減でき、高速スイッチングが可能になります。ワイド沿面距離、3pinパッケージ。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは？エレクトロニクス豆知識
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web販売価格 ￥723(税込)
- 商品コード： Q7TJGX
- 在庫： 100
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スイッチング損失を低減でき、高速スイッチングが可能になります。ワイド沿面距離、3pinパッケージ。SiCサポートページ評価ボード, ドキュメント採用事例紹介ローム製SiCデバイスSiCパワーデバイスとは？エレクトロニクス豆知識
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web販売価格 ￥706(税込)
- 商品コード： Q7TJGY
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- 在庫： ショップ欠品中
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web販売価格 ￥723(税込)
![大阪・日本橋店舗半生中継/[シリコンハウス]店内映像](/img/usr/top/Silitempo.jpg)
